О товаре

Диод Шоттки - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Компонент активно используется в составе разных приборов и оборудования:
компьютерная техника и бытовая электроника;
силовые высокочастотные выпрямители;
солнечные батареи и приемники излучения;
радиоаппаратура и телевизионное оборудование;
усилители звука и МОП-транзисторы;
стабилизаторы и БП.

Параметры диода 1N5822 (при ТА = +25oС):
напряжения: пиковое обратное (VRRM) до 40 В;
среднеквадротическое (VRMS) до 28 В;
запирающее (VRRM) до 40 В;
токи:
прямой выпрямленный (IO) до 3 А;
импульсный до 80 А (в течении 8.3 мсек. по методу Jedec);
падение напряжения (VF): до 0.525 В (при IO до 3 А); до 0.950 В (при IO до 9 А);
ёмкость перехода (Cj) до 200 пФ;
тепловое сопротивление (RθJA) до 40 oС/Вт;
ток утечки (IR): до 0,2 мА (при ТА до +25oС); до 10 мА (при ТА = +125oС);
температуры кристалла (TJ) и хранения (Tstg): от -65 до +125 oС.

Характеристики
Артикул
1115822
ТН ВЭД коды ЕАЭС
8541100009 - Прочие диоды, кроме фотодиодов или светодиодов (led)
Количество в упаковке, шт
1
Оплата частями в Сплит
Оплата частями в Сплит
Доставка в пункты выдачи или до двери
Удобный возврат
Оплата — картой, СБП или наличными

200 ₽

Оплата частями в Сплит
Оплата частями в Сплит
Доставка в пункты выдачи или до двери
Удобный возврат
Оплата — картой, СБП или наличными

Диод Шоттки - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Компонент активно используется в составе разных приборов и оборудования:

  • компьютерная техника и бытовая электроника;
  • силовые высокочастотные выпрямители;
  • солнечные батареи и приемники излучения;
  • радиоаппаратура и телевизионное оборудование;
  • усилители звука и МОП-транзисторы;
  • стабилизаторы и БП.

Параметры диода 1N5822 (при ТА = +25oС):

напряжения: пиковое обратное (VRRM) до 40 В;

среднеквадротическое (VRMS) до 28 В;

запирающее (VRRM) до 40 В;

токи:

прямой выпрямленный (IO) до 3 А;

импульсный до 80 А (в течении 8.3 мсек. по методу Jedec);

падение напряжения (VF): до 0.525 В (при IO до 3 А); до 0.950 В (при IO до 9 А);

ёмкость перехода (Cj) до 200 пФ;

тепловое сопротивление (RθJA) до 40 oС/Вт;

ток утечки (IR): до 0,2 мА (при ТА до +25oС); до 10 мА (при ТА = +125oС);

температуры кристалла (TJ) и хранения (Tstg): от -65 до +125 oС.

Название коллекции
Название коллекции
Название коллекции
Название коллекции

Подпишитесь на рассылку

Подпишитесь на наши акции и новости и получите скидку на следующий заказ

Нажимая «Подписаться», вы даете согласие на обработку указанных персональных данных в целях получения информационной и рекламной рассылки